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第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

记者了解到,山东公安机关注重发挥智慧侦查威力,实施多警种同步上案、集中研判、重点布控,在逃人员纷纷落网。自6月13日开始至8月15日,全省公安机关共抓获各类逃犯2506名,其中,公安部A级通缉令逃犯1名,B级通缉令逃犯4名,命案逃犯12名,八类严重暴力犯罪逃犯89名,涉黑涉恶逃犯537名,电信网络诈骗逃犯351名;潜逃10年以上的逃犯14名。

山东省公安厅一级巡视员槐国栋介绍,自公安部组织开展“云剑”行动以来,山东公安机关把涉严重暴力、涉黑涉恶、涉枪涉爆、涉毒涉拐、涉电信网络诈骗等群众反映强烈、社会危害性大的逃犯作为缉捕重点,实行分片包干、包案督导、挂牌督捕等机制,按照“一人一专班、一人一方案”的要求,深挖细查逃犯藏匿线索,做到逃犯一天不到案,专班一天不撤销、缉捕工作一天不停止。

在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

华为通过哈勃投资入股山东天岳,或许表明其对于第三代半导体材料前景的认可。资料显示,哈勃科技投资有限公司注册资本为7亿元人民币,由华为投资控股有限公司100%控股。

本报讯 记者梁平妮 通讯员黄克明据记者了解,山东省公安厅近日公开悬赏缉捕50名重大逃犯,对提供有效线索或在抓捕工作中发挥关键作用的,每抓获1名在逃人员,将奖励人民币2万元。

华为瞄准第三代半导体材料 这些上市公司已率先布局

山东公安悬赏百万缉捕50名重大逃犯 每抓1人奖励2万

山东省公安厅刑警总队总队长李民介绍,全省公安机关自6月13日至10月31日,开展以“打诈骗、抓逃犯、保大庆”为主题的“云剑”行动,悬赏100万元公开缉捕50名重大在逃人员就是此次行动的重要举措。群众发现在逃人员、获悉犯罪嫌疑人下落或者线索后,应勇于举报,但要注意自身安全,加强自我保护。对举报线索或协助抓捕的群众,公安机关将严格保密,并根据规定尽快落实奖励政策。

目前,许多国家将第三代半导体材料列入国家计划。美国、欧盟均建立了相应的中心及联盟, 致力于研发第三代功率半导体功率器件。

我国政府主管部门高度重视第三代半导体材料及相关技术的研究与开发。从2004年开始对第三代半导体技术领域的研究进行了部署,启动了一系列重大研究项目。2013年科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中,明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容。2015年和2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。

碳化硅电力电子器件市场在2016年正式形成,根据Yole预测,碳化硅市场规模在2021年将上涨到5.5亿美元,年复合增长率可达到19%。由于我国具有广阔的应用市场,届时国产功率半导体市场也将实现大规模的增长。

自半导体诞生以来,半导体材料便不断升级。第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,其在集成电路、电脑、手机、航空航天、各类军事工程等领域中都得到了极为广泛的应用。

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